|
Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 9, страницы 771–772
(Mi qe770)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Письма в редакцию
Лазерное выделение высокообогащенного иттербия-168 в весовых количествах
В. И. Держиев, В. А. Кузнецов, Л. А. Михальцов, В. М. Мушта, А. Ю. Сапожков, A. Н. Ткачев, С. А. Чаушанский, С. И. Яковленко Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Создана установка, способная производить высокообогащенный 168Yb в промышленных масштабах. В лазерной плазме содержание 168Yb достигало 80 — 95%, на коллекторе ионов — до 65%.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Образец цитирования:
В. И. Держиев, В. А. Кузнецов, Л. А. Михальцов, В. М. Мушта, А. Ю. Сапожков, A. Н. Ткачев, С. А. Чаушанский, С. И. Яковленко, “Лазерное выделение высокообогащенного иттербия-168 в весовых количествах”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 771–772 [Quantum Electron., 26:9 (1996), 751–752]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe770 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i9/p771
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 149 | PDF полного текста: | 91 |
|