|
Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 1, страницы 43–48
(Mi qe7689)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Лазеры и физические процессы в них
Механические напряжения в AlGaAs/GaAs-гетеролазерах с квантово-размерными слоями
М. Е. Поляков Институт физики АН БССР, Минск
Аннотация:
Проведен сравнительный анализ механических напряжений в AlGaAs/GaAs-гетеролазерах с квантово-размерными нелегированными слоями, вызванных разнообразными причинами: различием коэффициентов температурного расширения, поглощением излучения на дислокации, стоком носителей к дислокации и оттоком тепла от активной
области диода к хладопроводу. Показано, что остаточные напряжения доминируют над всеми остальными.
Поступила в редакцию: 01.10.1987
Образец цитирования:
М. Е. Поляков, “Механические напряжения в AlGaAs/GaAs-гетеролазерах с квантово-размерными слоями”, Квантовая электроника, 16:1 (1989), 43–48 [Sov J Quantum Electron, 19:1 (1989), 26–29]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7689 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i1/p43
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 126 | PDF полного текста: | 88 | Первая страница: | 1 |
|