Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 8, страницы 1721–1724 (Mi qe7609)  

Краткие сообщения

Влияние температуры LiF(F2) на моноимпульсный режим работы неодимового лазера на стекле

Н. Н. Ильичев, Н. П. Кущ, А. А. Малютин

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Измерено изменение пропускания пассивного лазерного затвора на LiF(F2) в зависимости от температуры. Дан способ выбора уровня накачки лазера на неодимовом стекле, обеспечивающий моноимпульсный режим работы в широком диапазоне температур. Применимость предложенного способа проверена экспериментально.
Поступила в редакцию: 03.12.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, Volume 15, Issue 8, Pages 1135–1136
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1985v015n08ABEH007609
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.3
PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Ce, 42.60.Gd, 42.60.Rn


Образец цитирования: Н. Н. Ильичев, Н. П. Кущ, А. А. Малютин, “Влияние температуры LiF(F2) на моноимпульсный режим работы неодимового лазера на стекле”, Квантовая электроника, 12:8 (1985), 1721–1724 [Sov J Quantum Electron, 15:8 (1985), 1135–1136]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7609
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i8/p1721
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024