О возможности использования оптической и электронной накачки для модуляции излучения CO2-лазера в кристаллах CdS и GaAs

Экспериментально исследован эффект модуляции излучения CO₂-лазера за счет взаимодействия с неравновесными носителями в кристаллах CdS при оптической накачке аргоновым лазером (λ = 457,9 нм), а также теоретически при электронной накачке в GaAs. С увеличением накачки относительное изменение коэффициента пропускания достигает в эксперименте 50 %. Использование для накачки электронного пучка, как показывают оценки, представляется еще более перспективным для приложений.