|
Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 3, страницы 437–451
(Mi qe7600)
|
|
|
|
Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)
Н. Г. Басов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Анализируются характеристики реверсивных запоминающих сред, предназначенных для оптической записи информации, в том числе термомагнитных сред, используемых в дисковых накопителях. Рассмотрен новый класс оптоэлектронных сред на основе многослойных структур. Показано, что плотность записи информации на таких средах может достигать 105 бит/мм2, а энергия светового импульса, управляющего записью, не будет превышать 10–12 Дж. Использование таких сред открывает широкие возможности для оптического программирования и резервирования. Темп обмена данных в оптоэлектронном запоминающем устройстве может достигать 1011 бит/с.
Поступила в редакцию: 25.03.1986
Образец цитирования:
Н. Г. Басов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, “Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)”, Квантовая электроника, 14:3 (1987), 437–451 [Sov J Quantum Electron, 17:3 (1987), 273–281]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7600 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i3/p437
|
|