Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 8, страницы 711–714 (Mi qe757)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Влияние параметров лазерного пучка на глубину и эффективность плавления металлов импульсным лазерным излучением

С. В. Каюков, А. А. Гусев

Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН
Аннотация: Экспериментально исследованы геометрические параметры зоны плавления и некоторые динамические характеристики роста парогазового канала в зависимости от пространственных характеристик лазерного пучка и формы импульсов излучения. Установлено, что значительное увеличение глубины плавления при прочих равных условиях может быть обеспечено за счет уменьшения угла каустики лазерного пучка, падающего на облучаемую поверхность. Экспериментально обнаружен новый физический эффект — увеличение скорости роста парогазового канала по мере увеличения его длины, который является следствием увеличения плотности мощности лазерного излучения на дне канала в процессе его роста. Впервые получена глубина зоны плавления 6.5 мм при энергии в импульсе 17.0 Дж.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996, Volume 26, Issue 8, Pages 692–695
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1996v026n08ABEH000757
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.62.Cf, 64.70.Dv, 81.05.Bx


Образец цитирования: С. В. Каюков, А. А. Гусев, “Влияние параметров лазерного пучка на глубину и эффективность плавления металлов импульсным лазерным излучением”, Квантовая электроника, 23:8 (1996), 711–714 [Quantum Electron., 26:8 (1996), 692–695]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe757
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i8/p711
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:239
    PDF полного текста:232
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024