Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 10, страницы 2015–2024 (Mi qe7535)  

Электроразрядный He–N2-лазер

Ю. И. Григорянab, В. О. Папанянab, В. Ф. Тарасенкоab

a Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск
b Институт физических исследований АН Арм. ССР, Аштарак
Аннотация: Исследован гелий-азотный импульсный электроразрядный лазер с излучением на двух различных полосах N2+(B2Σu+X2Σg+) и N2(C3ПuB3Пg). При содержании азота порядка долей процента получена одновременная генерация на 427,8 и 337,1 нм с мощностью излучения ~ 0,1 МВт на каждой длине волны. Приведенная теоретическая модель позволяет получить аналитические выражения, описывающие зависимости энергии импульсов излучения от содержания азота, неона и полного давления. Введением малой примеси неона доказано, что накачка верхнего рабочего состояния N2+(B) осуществляется с помощью реакции перезарядки, а не прямым электронным ударом. Получены столкновительные константы дезактивации лазерных уровней и показано, что дезактивация состояния N2+(B) в тройных соударениях с молекулами азота существенно влияет на работу He–N2-лазера.
Поступила в редакцию: 22.07.1986
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 10, Pages 1329–1335
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n10ABEH007535
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 52.80.-s, 42.60.Jf, 82.30.Fi


Образец цитирования: Ю. И. Григорян, В. О. Папанян, В. Ф. Тарасенко, “Электроразрядный He–N2-лазер”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2015–2024 [Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1329–1335]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7535
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i10/p2015
    Исправления
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:175
    PDF полного текста:118
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024