Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 11, страницы 1418–1423 (Mi qe7496)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Механизмы генерации газоразрядного неон-водородного лазера на λ = 585,3 нм

Е. Л. Латуш, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев

Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону
Аннотация: Исследованы механизмы импульсной генерации на переходе 585,3 нм Nel в смеси Ne–H2 в разряде с полым катодом и в продольном разряде. Установлено, что генерация в послесвечении обоих типов разряда обусловлена накачкой верхнего рабочего уровня в основном за счет тройной рекомбинации ионов неона, а генерация во время импульса тока в разряде с полым катодом – накачкой электронным ударом. Показано, что в продольном разряде при больших токах рекомбинационная неравновесность может сформироваться еще при протекании тока, в этом случае генерация во время импульса тока обусловлена рекомбинационной накачкой. Установлен селективный характер очистки нижнего рабочего уровня за счет реакции Пеннинга на водороде. Выявлено существенное влияние неупругих соударений с электронами на временные характеристики генерации в рекомбинирующей плазме.
Поступила в редакцию: 26.01.1990
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, Volume 20, Issue 11, Pages 1327–1331
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1990v020n11ABEH007496
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 52.80.Sm


Образец цитирования: Е. Л. Латуш, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев, “Механизмы генерации газоразрядного неон-водородного лазера на λ = 585,3 нм”, Квантовая электроника, 17:11 (1990), 1418–1423 [Sov J Quantum Electron, 20:11 (1990), 1327–1331]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7496
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i11/p1418
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:160
    PDF полного текста:89
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024