Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 11, страницы 1415–1418 (Mi qe7495)  

Лазеры

Оптимальные условия генерации Не–Ne-лазера на переходе 4d'4–3p9 с λ ≈ 2,4 мкм

С. Б. Котельников, А. И. Попов

Московский инженерно-физический институт
Аннотация: Экспериментально исследована зависимость мощности генерации на переходе 4d'4–3p9 от параметров активной среды и резонатора. Найдены оптимальные для получения генерации на этом переходе давление и состав смеси, ток разряда, коэффициент отражения выходного зеркала. Определена мощность генерации при оптимальных параметрах среды (0,02 мВт). Измерен коэффициент усиления активной среды (0,4 м – 1). Рассмотрен вопрос о механизме создания инверсии на этом переходе.
Поступила в редакцию: 26.01.1990
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, Volume 20, Issue 11, Pages 1323–1326
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1990v020n11ABEH007495
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.028.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.79.Bh


Образец цитирования: С. Б. Котельников, А. И. Попов, “Оптимальные условия генерации Не–Ne-лазера на переходе 4d'4–3p9 с λ ≈ 2,4 мкм”, Квантовая электроника, 17:11 (1990), 1415–1418 [Sov J Quantum Electron, 20:11 (1990), 1323–1326]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7495
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i11/p1415
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024