О возможности увеличения предельной плотности излучения в гетеролазерах с широким волноводом

Дана оценка максимальной выходной мощности полупроводникового инжекционного лазера на единицу ширины активной полоски P ^c_W. Предполагается, что она ограничена оптической прочностью зеркал. Рассмотрены варианты гетероструктур с одной или несколькими квантово-размерными слоями GaAs в расширенной полости AlGaAs. Показано, что для получения максимальной плотности излучения (P ^c_W ~2·10³ Вт/см) оптимальной является структура с небольшим (1–3) числом ям, расположенных в центре волновода с шириной ~3 мкм. При этом предельная плотность тока, по достижении которой произойдет катастрофическое разрушение зеркал, составляет ~10 кА/см².