|
Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 8, страницы 675–676
(Mi qe747)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)
Письма в редакцию
Высококогерентный инжекционный лазер с оптической обратной связью через микрорезонатор с модами типа «шепчущей галереи»
В. В. Васильевa, В. Л. Величанскийa, М. Л. Городецкийb, В. С. Ильченкоb, Л. Хольбергc, А. В. Яровицкийa a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
c National Institute of Standards and Technology, National Institute of Standards and Technology, Boulder, USA
Аннотация:
Реализовано сужение линии генерации инжекционного лазера с помощью внешнего высокодобротного микрорезонатора, представляющего собой кварцевый шарик диаметром 370 мкм. Ввод-вывод излучения и согласование с модой типа «шепчущей галереи» шарика осуществлялись методом нарушенного полного внутреннего отражения, а оптическая обратная связь формировалась за счет релеевского рассеяния. Ширина спектров биений исследуемого и опорного лазеров не превышала 100 кГц.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Образец цитирования:
В. В. Васильев, В. Л. Величанский, М. Л. Городецкий, В. С. Ильченко, Л. Хольберг, А. В. Яровицкий, “Высококогерентный инжекционный лазер с оптической обратной связью через микрорезонатор с модами типа «шепчущей галереи»”, Квантовая электроника, 23:8 (1996), 675–676 [Quantum Electron., 26:8 (1996), 657–658]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe747 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i8/p675
|
|