|
Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 10, страницы 1277–1281
(Mi qe7438)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физические процессы в активных средах
Непрерывная генерация ионов эрбия в кристаллах ИСГГ: Сг3+, Ег3+ в области 3 мкм при комнатной температуре
М. А. Ногинов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, Г. Хубер, Х. Штанге, И. А. Щербаков Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
Экспериментально исследовано влияние процессов взаимодействия возбужденных ионов Ег3+ на генерационные характеристики 3-микронного лазера на кристалле ИСГГ:Сг3+, Ег3+ при накачке криптоновым лазером. Полученные результаты объяснены на основе спектроскопической модели этого кристалла.
Поступила в редакцию: 02.11.1989
Образец цитирования:
М. А. Ногинов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, Г. Хубер, Х. Штанге, И. А. Щербаков, “Непрерывная генерация ионов эрбия в кристаллах ИСГГ: Сг3+, Ег3+ в области 3 мкм при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 17:10 (1990), 1277–1281 [Sov J Quantum Electron, 20:10 (1990), 1185–1189]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7438 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i10/p1277
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 177 | PDF полного текста: | 75 | Первая страница: | 1 |
|