|
Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 9, страницы 1238–1240
(Mi qe7429)
|
|
|
|
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Поглощение излучения СО2-лазера на фотовозбужденных носителях в кристалле германия
А. М. Григорьев, Л. М. Лавренов, В. П. Трусов
Аннотация:
Экспериментально исследовано и рассчитано поглощение излучения СО2-лазера в кристалле германия, возбуждаемом импульсом излучения Nd-лазера. Аналитически получена зависимость коэффициента пропускания полупроводника в области его прозрачности от интенсивности возбуждающего излучения. Показано, что она хорошо согласуется с экспериментальными данными, полученными для кристалла германия в рассмотренном практически важном диапазоне изменений интенсивности фотовозбуждения. Достижение высокого
уровня концентраций свободных носителей в фотовозбужденном германии свидетельствует о перспективности
применения данного материала в модуляторах излучения СО2-лазера.
Поступила в редакцию: 12.01.1990
Образец цитирования:
А. М. Григорьев, Л. М. Лавренов, В. П. Трусов, “Поглощение излучения СО2-лазера на фотовозбужденных носителях в кристалле германия”, Квантовая электроника, 17:9 (1990), 1238–1240 [Sov J Quantum Electron, 20:9 (1990), 1149–1150]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7429 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i9/p1238
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 132 | PDF полного текста: | 62 | Первая страница: | 1 |
|