|
Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 9, страницы 1188–1191
(Mi qe7412)
|
|
|
|
Нелинейная оптика
Эффект накопления в нестационарном электронном ВКР при накачке цугом УКИ
В. М. Авакян, Б. В. Крыжановский, Д. Г. Саркисян Институт физических исследований АН АрмССР, Аштарак
Аннотация:
Исследованы особенности эффекта накопления (ЭН) в нестационарном электронном ВКР в парах атомов бария при накачке последовательностью УКИ с регулируемой между импульсами задержкой. Суть ЭН в том, что в энергию стоксова импульса вносят вклад не только возбуждающий его "свой" импульс накачки, но и предыдущие импульсы накачки, влияние которых существенно
зависит от соотношения времени поперечной релаксации T2 и интервала между импульсами. Для наблюдения ЭН в электронном ВКР важно свести к минимуму влияние истощения числа атомов. На основе ЭН разработана методика определения T2 за одну лазерную вспышку.
Поступила в редакцию: 23.05.1989 Исправленный вариант: 20.10.1989
Образец цитирования:
В. М. Авакян, Б. В. Крыжановский, Д. Г. Саркисян, “Эффект накопления в нестационарном электронном ВКР при накачке цугом УКИ”, Квантовая электроника, 17:9 (1990), 1188–1191 [Sov J Quantum Electron, 20:9 (1990), 1096–1099]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7412 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i9/p1188
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 142 | PDF полного текста: | 71 | Первая страница: | 1 |
|