Влияние неоднородности накачки и усиленного спонтанного излучения на характеристики широкоапертурного ХеСl-усилителя

Проведен трехмерный расчет в декартовых координатах двухпроходного XeCl-усилителя объемом 1X1X3 м при p = 1 атм (смесь Аг:Хе:НСl = 700:60:1). Использована полная модель процессов в активной среде. Методом Монте-Карло рассчитано распределение мощности энерговклада в объеме от встречных электронных пучков (J = 20 А/см², ε_e = 0,4–0,5 МэВ), направленных поперек оптического потока. Изучено влияние паразитного усиленного спонтанного излучения на эффективность усилителя. Рассчитаны распределения выходного излучения в дальней зоне с учетом искажений волнового фронта из-за аномальной дисперсии и рефракции на электронах для разных типов неоднородности накачки.