Лазерное травление поверхности поликристаллического карбида кремния излучением лазера на парах меди

Исследовано лазерное травление поликристаллического карбида кремния излучением лазера на парах меди в воздухе и в жидких средах (вода, диметилсульфоксид). Максимальная скорость травления керамики SiC в воздухе достигает 0.24 мкм/имп., в диметилсульфоксиде — 0.07 мкм/имп. при плотности энергии 16 Дж/см². Методами сканирующей электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа исследовано изменение морфологии и химического состава протравленной поверхности SiC. Обнаружено образование при травлении в воздухе частично аморфизованного карбида кремния и микрокристаллов свободного Si с характерным размером около 30 нм. Показано, что на поверхности карбида кремния после лазерного травления возможно восстановление меди из раствора для химической металлизации. Полученные металлические покрытия имеют высокую адгезию к поверхности (до 30 Н/мм²).