Фотоприемные волноводные структуры на основе эпитаксиальных слоев InGaAs для оптических интегральных схем на полупроводниковых соединениях AIIIBV

Представлены результаты разработки и исследования фотоприемных волноводных структур на основе эпитаксиальных слоев твердых растворов In_xGa_1 – xAs для оптических интегральных схем (ОИС) на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V для диапазона длин волн 1,0–1,5 мкм. Разработаны два типа фотоприемных волноводных p-i-n-структур, выполненных в виде составного волновода и туннельно связанных волноводов. Изучены структурные параметры, чувствительность, спектральные и временные характеристики и темновой ток волноводных фотоприемников (ВФП) на основе разработанных фотоприемных волноводных структур в диапазоне длин волн 1,0–1,3 мкм. Максимальная спектральная чувствительность одного из типов ВФП составляет ~ 0,5 ± 0,1А/Вт, а темновой ток не превышает 10 ^– 7–10 ^– 8А.