Исследование УФ лазера на молекуле XeF* с накачкой эксимерным излучением

Получена генерация на 22 электронно-колебательных переходах молекулы XeF^* в ближней УФ области спектра при возбуждении XeF₂ излучением эксимеров Хе^*₂. Исследована зависимость энергии генерации на различных электронно-колебательных переходах от давления He, N₂ и Ar. На основании полученных экспериментальных данных выполнена оценка констант расселения колебательных уровней с υ″ = 3,6,7 состояния X. КПД лазера с учетом эффективности использования излучения накачки составляет 2,3 %.