Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 8, страницы 1706–1708 (Mi qe7346)  

Краткие сообщения

О сложении частот двух комплексно-сопряженных световых полей

Ю. К. Веревкин, Г. А. Пасманик, А. Д. Тертышник

Институт прикладной физики АН СССР, Горький
Аннотация: Исследованы особенности параметрического смешения комплексно-сопряженных световых полей. Показано, что компенсация фазовых неоднородностей исходных полей в поле суммарной частоты происходит в пределах углов синхронизма в соответствующих плоскостях. Исследованы также искажения волнового фронта поля суммарной частоты, связанные с анизотропией нелинейного кристалла.
Поступила в редакцию: 01.09.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 8, Pages 1119–1120
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n08ABEH007346
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.372.632
PACS: 42.65.Hw, 42.65.Es, 42.70.Mp


Образец цитирования: Ю. К. Веревкин, Г. А. Пасманик, А. Д. Тертышник, “О сложении частот двух комплексно-сопряженных световых полей”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1706–1708 [Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1119–1120]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7346
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i8/p1706
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024