|
Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 8, страницы 1035–1038
(Mi qe7327)
|
|
|
|
Воздействие лазерного излучения на вещество
Фотоиндуцированное поглощение в халькогенидных стеклах
В. В. Пономарь Институт прикладной физики АН МССР, Кишинев
Аннотация:
В халькогенидных стеклах обнаружена зависимость коэффициента поглощения от интенсивности оптического
излучения в диапазоне интенсивностей 10 – 5 – 1 Вт/см2
при энергии квантов меньше ширины запрещенной зоны материала. Показано, что коэффициент поглощения
зависит от времени воздействия. В сульфиде мышьяка в области 1,6–1,7 эВ при интенсивностях
порядка 10– 3 Вт/см2 обнаружен пик поглощения. Механизм поглощения в данной области спектра, вероятно, обусловлен поглощением на метастабильных «дефектных» связях As–As, S–S и Se–Se и аналогичен фотоиндуцированной деградации в гидрогенизированном аморфном кремнии.
Поступила в редакцию: 15.11.1989
Образец цитирования:
В. В. Пономарь, “Фотоиндуцированное поглощение в халькогенидных стеклах”, Квантовая электроника, 17:8 (1990), 1035–1038 [Sov J Quantum Electron, 20:8 (1990), 951–953]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7327 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i8/p1035
|
|