Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 8, страницы 1557–1566 (Mi qe7325)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Исследование характеристик активной среды эксиплексного лазера на основе гидрида гелия

Б. А. Азимджанов, Т. У. Арсланбеков, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. А. Юровский, С. И. Яковленко

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Построена модель плазмохимических реакций в гелий-водородной плазме, образованной жестким ионизатором, и показана принципиальная возможность получения генерации на фотодиссоциативном переходе эксиплекса НеН$^*$ ($\lambda$ = 460 нм, $\Delta\lambda$ = 310 нм). Характеристики активной среды при импульсной и импульсно-периодической накачке исследованы как аналитически в стационарном приближении, так и численно. Заметные коэффициенты усиления $\varkappa=2\cdot10^{-2}$ см$^{-1}$ и КПД активной среды $\eta_{\text{cp}}\approx$ 3 % могут быть достигнуты при накачке плотной среды ($[He]\approx10^{21}$ см$^{-3}$) с малым содержанием водорода ($[He]\approx2\cdot10^{17}$ см$^{-3}$) импульсом длительностью $\sim$100 нс с пиковой плотностью тока $j_e\approx1$ кА/см$^2$ для электронного пучка $j_p\approx2$ А/см$^2$ для протонного (при энергии частиц 300 кэВ). При импульсно-периодической накачке СВЧ-модулированным пучком целесообразно ориентироваться на частоту следования импульсов $f\lesssim50$ МГц.
Поступила в редакцию: 20.07.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, Volume 15, Issue 8, Pages 1029–1036
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1985v015n08ABEH007325
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 52.38.-r
Образец цитирования: Б. А. Азимджанов, Т. У. Арсланбеков, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. А. Юровский, С. И. Яковленко, “Исследование характеристик активной среды эксиплексного лазера на основе гидрида гелия”, Квантовая электроника, 12:8 (1985), 1557–1566 [Sov J Quantum Electron, 15:8 (1985), 1029–1036]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AziArsBun85}
\by Б.~А.~Азимджанов, Т.~У.~Арсланбеков, Ф.~В.~Бункин, В.~И.~Держиев, В.~А.~Юровский, С.~И.~Яковленко
\paper Исследование характеристик активной среды эксиплексного лазера на основе гидрида гелия
\jour Квантовая электроника
\yr 1985
\vol 12
\issue 8
\pages 1557--1566
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe7325}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1985
\vol 15
\issue 8
\pages 1029--1036
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1985v015n08ABEH007325}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1985ASA1100001}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7325
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i8/p1557
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:139
    PDF полного текста:70
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024