|
Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 8, страницы 997–1001
(Mi qe7301)
|
|
|
|
Активные среды
Численные расчеты коэффициентов усиления света на коротковолновых переходах гелиеподобных ионов в оптически тонкой плазме
А. В. Боровский, О. И. Зацаринный, И. В. Кардаш, В. В. Коробкин Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
Численно рассчитаны коэффициенты усиления света на коротковолновых переходах гелиеподобных ионов
Li+ (λ = 168 нм), C4+ (26,7 нм), Al11+ (4,59 7 нм) в оптически тонкой плазме. Исследуются случаи столкновительной и рекомбинационной накачек. Расчеты проводятся
в рамках многоуровневой модели гелиеподобного иона в квазистационарном приближении с использованием
уточненных атомных констант и скоростей переходов.
Поступила в редакцию: 17.07.1989
Образец цитирования:
А. В. Боровский, О. И. Зацаринный, И. В. Кардаш, В. В. Коробкин, “Численные расчеты коэффициентов усиления света на коротковолновых переходах гелиеподобных ионов в оптически тонкой плазме”, Квантовая электроника, 17:8 (1990), 997–1001 [Sov J Quantum Electron, 20:8 (1990), 913–917]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7301 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i8/p997
|
|