Генерационные характеристики кристалла CaGdAlO4:Nd3+ при диодной накачке

Исследован новый лазерный кристалл CaGdAlO₄, активированный ионами Nd³⁺. Кристалл был выращен методом Чохральского, атомная концентрация Nd³⁺ в расплаве составляла 2%. Проведен анализ спектров поглощения и люминесценции, представлена штарковская структура верхнего и нижнего лазерных уровней. Время жизни верхнего уровня составило ~140 мкс. Сечение стимулированного излучения на длине волны 1078 нм было равно 1.1·10^–19 см² для поляризации E || c. В качестве источника накачки использовался GaAlAs-диод мощностью 3 Вт, излучающий на длине волны 806.5 нм. Эффективность генерации на длине волны 1078 нм составила 37% при использовании выходного зеркала с пропусканием 5%. Выходная мощность лазерного излучения равнялась 360 мВт при поглощенной мощности накачки 1.29 Вт.