|
Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 6, страницы 1307–1309
(Mi qe7178)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Влияние избыточного давления серы при выращивании кристаллов CdS на характеристики лазеров, возбуждаемых электронным пучком
И. В. Акимова, Т. И. Березина, А. Н. Печенов, В. И. Решетов, Л. Е. Решетова, П. В. Шапкин Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследовано влияние избыточного парциального давления серы в диапазоне 10–3– 2·102 мм рт. ст. на спектры низкотемпературной фотолюминесценции, а также на порог генерации и дифференциальную эффективность лазеров, возбуждаемых электронным пучком. Наилучшие лазерные характеристики, в том числе деградационная стойкость, были получены в диапазоне давлений серы 1–10 мм рт. ст.
Поступила в редакцию: 04.10.1984 Исправленный вариант: 10.12.1984
Образец цитирования:
И. В. Акимова, Т. И. Березина, А. Н. Печенов, В. И. Решетов, Л. Е. Решетова, П. В. Шапкин, “Влияние избыточного давления серы при выращивании кристаллов CdS на характеристики лазеров, возбуждаемых электронным пучком”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1307–1309 [Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 867–868]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7178 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i6/p1307
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 130 | PDF полного текста: | 56 | Первая страница: | 1 |
|