Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 6, страницы 1299–1302 (Mi qe7175)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Краткие сообщения

О механизме короткоживущего поглощения в кристаллах АИГ:Nd

И. И. Куратев, С. П. Насельский, В. К. Новиков, А. И. Рябов, Г. Н. Торопкин, В. Г. Янчук
Аннотация: Исследован механизм образования короткоживущего поглощения в лазерных кристаллах из АИГ под воздействием УФ части излучения накачки. Показано, что процесс образования короткоживущего поглощения в кристаллах протекает с участием ионов двухвалентного железа.
Поступила в редакцию: 02.08.1984
Исправленный вариант: 19.11.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, Volume 15, Issue 6, Pages 861–862
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1985v015n06ABEH007175
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.70.Hj, 78.20.Ci, 42.55.Rz, 42.60.Jf


Образец цитирования: И. И. Куратев, С. П. Насельский, В. К. Новиков, А. И. Рябов, Г. Н. Торопкин, В. Г. Янчук, “О механизме короткоживущего поглощения в кристаллах АИГ:Nd”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1299–1302 [Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 861–862]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7175
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i6/p1299
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:118
    PDF полного текста:53
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024