|
Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 6, страницы 1299–1302
(Mi qe7175)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Краткие сообщения
О механизме короткоживущего поглощения в кристаллах АИГ:Nd
И. И. Куратев, С. П. Насельский, В. К. Новиков, А. И. Рябов, Г. Н. Торопкин, В. Г. Янчук
Аннотация:
Исследован механизм образования короткоживущего поглощения в лазерных кристаллах из АИГ под воздействием УФ части излучения накачки. Показано, что процесс образования короткоживущего поглощения в кристаллах протекает с участием ионов двухвалентного железа.
Поступила в редакцию: 02.08.1984 Исправленный вариант: 19.11.1984
Образец цитирования:
И. И. Куратев, С. П. Насельский, В. К. Новиков, А. И. Рябов, Г. Н. Торопкин, В. Г. Янчук, “О механизме короткоживущего поглощения в кристаллах АИГ:Nd”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1299–1302 [Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 861–862]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7175 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i6/p1299
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 118 | PDF полного текста: | 53 | Первая страница: | 1 |
|