|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 6, страницы 1376–1377
(Mi qe7125)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Краткие сообщения
Генерация на $(F_2^+)_A$-центрах окраски в кристалле NaF
Ю. Л. Гусев, А. В. Кирпичников, С. Н. Коноплин, С. И. Маренников Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск
Аннотация:
Сообщается о создании перестраиваемого лазера на $(F_2^+)_A$-центрах в кристалле
NaF с накачкой рубиновым лазером, имеющего следующие параметры: область перестройки
0,95–1,3 мкм, порог 400 кВт/см$^2$, КПД 15%, выходную мощность 1 МВт.
Обнаружено, что $(F_2^+)_A$-центры при комнатной температуре обладают высокой стабильностью.
Исследован процесс преобразования $(F_2^+)_A$-центров под действием мощного
излучения накачки и установлено существование стабильной компоненты этих центров.
Поступила в редакцию: 27.11.1980
Образец цитирования:
Ю. Л. Гусев, А. В. Кирпичников, С. Н. Коноплин, С. И. Маренников, “Генерация на $(F_2^+)_A$-центрах окраски в кристалле NaF”, Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1376–1377 [Sov J Quantum Electron, 11:6 (1981), 833–834]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7125 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i6/p1376
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 139 | PDF полного текста: | 59 |
|