Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 5, страницы 1086–1089 (Mi qe7104)  

Краткие сообщения

Влияние давления и растяжения на фазу когерентного излучения в волоконных световодах

Ф. А. Шаталов

Московский физико-технический институт
Аннотация: Получены аналитические выражения для коэффициентов чувствительности фазы когерентного излучения в многослойных волоконных световодах к изменениям аксиального растяжения, радиального и гидростатического давлений. Сформулированы условия, при которых эти коэффициенты равны нулю.
Поступила в редакцию: 28.08.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, Volume 15, Issue 5, Pages 716–717
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1985v015n05ABEH007104
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.372.8.029.7
PACS: 42.81.Qb, 42.79.Wc


Образец цитирования: Ф. А. Шаталов, “Влияние давления и растяжения на фазу когерентного излучения в волоконных световодах”, Квантовая электроника, 12:5 (1985), 1086–1089 [Sov J Quantum Electron, 15:5 (1985), 716–717]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe7104
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i5/p1086
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:125
    PDF полного текста:62
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024