|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 6, страницы 1363–1366
(Mi qe7100)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Регистрация параметров импульсного излучения с использованием фазового перехода полупроводник – металл в двуокиси ванадия
Л. П. Агейкина, В. Н. Гаврилов, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, А. А. Частов
Аннотация:
Исследуется возможность измерения площади сечения пучков S и энергии E импульсного излучения при использовании связанных с фазовым переходом полупроводник – металл в VO$_2$ фотоиндуцированных скачкообразных изменений электросопротивления Δρ и коэффициента пропускания света Δt. На основе измерения зависимости амплитуды и длительности импульсов фотоответа Δρ и Δτ от E и S проведен анализ формы этих двух импульсных откликов. Установлено, что измерения зависимостей амплитуд и времен спада импульсов Δρ и Δt могут быть использованы для одновременного определения S и E импульсного излучения.
Поступила в редакцию: 15.07.1980 Исправленный вариант: 20.10.1980
Образец цитирования:
Л. П. Агейкина, В. Н. Гаврилов, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, А. А. Частов, “Регистрация параметров импульсного излучения с использованием фазового перехода полупроводник – металл в двуокиси ванадия”, Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1363–1366 [Sov J Quantum Electron, 11:6 (1981), 822–824]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7100 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i6/p1363
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 120 | PDF полного текста: | 80 |
|