Вынужденное излучение монокристаллов селенида цинка при стримерном возбуждении

Исследовано стимулированное излучение и генерация света в монокристаллах селенида цинка при стримерном разряде в поперечном направлении (T = 294 и 77 K). Предполагается, что вынужденное излучение в области 448–449 нм при 77 K возникает в результате излучательной рекомбинации в плотном экситонном газе, а при комнатной температуре – в электронно-дырочной плазме. Пороговая концентрация неравновесных носителей заряда, соответствующая возникновению генерации света при 77 K, не превышает 10¹⁸ см^–3 .