Травление полупроводников продуктами лазерной термодиссоциации молекулярных газов

Экспериментально исследована новая возможность инициирования и управления гетерогенными химическими реакциями лазерным излучением на примере реакции травления полупроводников (Ge, Si, GaAs, ZnSe) галогенами (I, Br). Химически активные частицы получены путем чисто тепловой диссоциации галогеносодержащих молекул (CF₃I, Br₂) в смеси с термическим сенсибилизатором (SF₆) излучением CO₂-лазера. Продемонстрирована возможность высокой пространственной селективности процесса травления. Экспериментально исследованы оптимальные условия травления германия, проанализированы конечные продукты химических реакций в газовом объеме и на протравленной поверхности германия, предложена модель протекающих процессов.