В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, С. Д. Якубович, “Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1095–1098 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 650

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1095–1098 (Mi qe6954)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs

В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, С. Д. Якубович

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

PDF полного текста (722 kB) Список цитирования (1)

Аннотация: Проведено теоретическое и экспериментальное исследование динамических характеристик инжекционного полупроводникового усилителя (ПУ) излучения в линейном режиме и при насыщении по входному сигналу. Показано, что в нелинейном режиме быстродействие ПУ ограничено при импульсно-кодовой модуляции величиной порядка времени спонтанной рекомбинации. Указаны некоторые возможности использования нелинейного режима работы ПУ в быстродействующих системах связи.

Поступила в редакцию: 15.09.1980

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, Volume 11, Issue 5, Pages 650–652
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1981v011n05ABEH006954

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.375.8.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Образец цитирования: В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, С. Д. Якубович, “Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1095–1098 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 650–652]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe6954

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i5/p1095

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	164
PDF полного текста:	67

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы