|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 6, страницы 1261–1264
(Mi qe6923)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Изучение перфорации тонкопленочной фиксирующей среды остросфокусированным излучением GaAlAs/GaAs-лазера
П. Г. Елисеев, Фам Ван Хой Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Проведено изучение записи информации с помощью перфорации тонкопленочной среды (слоев Те и Ag на подложке из оргстекла) излучением инжекционных лазеров на длине волны в диапазоне 830–880 нм. Получены сквозные метки субмикронных размеров (0,5 мкм2 и выше), что соответствует аудиодисковому уровню плотности записи.
Поступила в редакцию: 19.11.1985
Образец цитирования:
П. Г. Елисеев, Фам Ван Хой, “Изучение перфорации тонкопленочной фиксирующей среды остросфокусированным излучением GaAlAs/GaAs-лазера”, Квантовая электроника, 13:6 (1986), 1261–1264 [Sov J Quantum Electron, 16:6 (1986), 825–827]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6923 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i6/p1261
|
|