|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1018–1026
(Mi qe6920)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле
BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$
Б. М. Антипенко
Аннотация:
Показано, что, начиная с удельной поглощенной энергии излучения неодимового лазера накачки 1 Дж/см$^3$ в кристалле $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$ (0,5%), очевидный механизм заселения состояния ${}^5I_7$ активатора (безызлучательный перенос энергии от ионов сенсибилизатора $|^2F_{5/2}(Yb),{}^5I_8(Ho)>\! \to|^2F_{7/2}(Yb),{}^5I_6(Ho)>$ с последующей релаксацией $|{}^5I_6(Ho)>\sim\to|{}^5I_7(Ho)>)$ заменяется на кооперативный, включающий три последовательные стадии ступенчатой
сенсибилизации: $|^2F_{5/2}(Yb),{}^5I_8(Ho)>\!\to|^2F_{7/2}(Yb),{}^5I_6(Ho)>$;
$|^2F_{5/2}(Yb),{}^5I_6(Ho)>\!\to|^2F_{7/2}(Yb),{}^5S_2(Ho)$;
$|^2F_{5/2}(Yb),{}^5S_2(Ho)>\!\to|^2F_{7/2}(Yb),{}^3H_6(Ho)>$, и две последовательные стадии межцентровой кросс-релаксации: $|^5G_4(Ho),{}^2F_{7/2}(Yb)>\!\to|^5F_5(Ho),{}^2F_{5/2}(Yb)>$;
$|^5F_5(Ho),{}^2F_{7/2}(Yb)>\!\to|^5I_7(Ho),{}^2F_{5/2}(Yb)>$. Определены пути оптимизации активной среды лазерного переизлучателя 2 мкм на основе $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$. Обсуждена перспектива
создания анти-стоксова ($1,06\to0,75$ мкм) лазерного переизлучателя.
Поступила в редакцию: 15.04.1980 Исправленный вариант: 25.08.1980
Образец цитирования:
Б. М. Антипенко, “Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле
BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1018–1026 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 607–612]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6920 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i5/p1018
|
|