|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 6, страницы 1195–1200
(Mi qe6902)
|
|
|
|
Инжекционные гетеролазеры и интегральные пары лазер – фотоприемник с резонаторами, полученными микроскалыванием
А. А. Бородкин, В. И. Бородулин, Н. А. Вагнер, И. В. Воскобойникова, И. С. Голдобин, С. Н. Грекова, В. Н. Морозов, О. А. Пашко, В. Н. Пенкин, А. С. Семенов, А. В. Смирнов, В. И. Швейкин Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Получены образцы инжекционных гетеролазеров в системе AlGaAs с резонаторами длиной 20–30 мкм, сформированными микроскалыванием слоев двойной гетероструктуры. Исследованы зависимости порогового тока лазеров от длины резонатора и коэффициентов отражения зеркал. Приведены ватт-амперные и спектральные
характеристики излучения лазеров. Пороговые токи лазеров с дополнительными отражающими покрытиями на зеркалах составляли 12–15 мА, а токи накачки для получения мощности излучения 3 мВт в одну сторону в непрерывном режиме генерации – 16÷20 мА. Исследованы характеристики интегральных пар лазер – фотодиод. Показано, что зависимости фототока от мощности излучения лазера линейны до уровня 10–15 мВт. Приведены температурные зависимости характеристик «мощность излучения – фототок» в диапазоне 20-100°C.
Образец цитирования:
А. А. Бородкин, В. И. Бородулин, Н. А. Вагнер, И. В. Воскобойникова, И. С. Голдобин, С. Н. Грекова, В. Н. Морозов, О. А. Пашко, В. Н. Пенкин, А. С. Семенов, А. В. Смирнов, В. И. Швейкин, “Инжекционные гетеролазеры и интегральные пары лазер – фотоприемник с резонаторами, полученными микроскалыванием”, Квантовая электроника, 13:6 (1986), 1195–1200 [Sov J Quantum Electron, 16:6 (1986), 784–788]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6902 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i6/p1195
|
|