Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 5, страницы 417–419 (Mi qe684)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Эффективное излучение смеси He — Xe— NF3, накачиваемой тлеющим разрядом

А. М. Бойченкоa, А. Н. Панченкоb, В. Ф. Тарасенкоb, С. И. Яковленкоa

a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
Аннотация: Исследовано излучение смесей Xe — NF3 и He — Xe — NF3 при накачке тлеющим разрядом низкого давления. При использовании разрядной трубки длиной 40 см с внутренним диаметром 9 мм получена средняя мощность излучения на длине волны 350 нм до 20 Вт при КПД по вложенной энергии до 6%. Проведен качественный анализ кинетических процессов в этих условиях.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996, Volume 26, Issue 5, Pages 407–409
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1996v026n05ABEH000684
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.72.Bj, 52.80.Hc


Образец цитирования: А. М. Бойченко, А. Н. Панченко, В. Ф. Тарасенко, С. И. Яковленко, “Эффективное излучение смеси He — Xe— NF3, накачиваемой тлеющим разрядом”, Квантовая электроника, 23:5 (1996), 417–419 [Quantum Electron., 26:5 (1996), 407–409]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe684
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i5/p417
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:143
    PDF полного текста:128
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024