Усиление излучения полупроводниковых лазеров в диапазоне 1,24–1,3 мкм при ВКР в оптическом волокне

Исследовано влияние слабого излучения полупроводникового лазера на спектр ВКР в одномодовом оптическом волокне при накачке YAG:Nd³⁺-лазером с длиной волны 1,06 мкм. Обнаружено увеличение мощности рассеянного излучения на длине волны полупроводникового лазера более чем в 10 раз. Достигнут динамический коэффициент усиления слабого сигнала 47 дБ. Получено одновременное усиление излучения нескольких мод многомодового полупроводникового лазера с межмодовым спектральным интервалом 1,3 нм.