Исследование узких резонансов при насыщении поглощения в четырехфтористом кремнии на переходах 0001–0200 лазера на двуокиси углерода

Исследовано насыщение молекулярного поглощения в полосе ν₃ четырехфтористого кремния SiF₄ излучением CO₂-лазера на переходе 00⁰1–02⁰0 (λ = 9,4 мкм). Определены коэффициенты ненасыщенного поглощения на линиях P (30), P (32), P (34), P (36). Обнаружены резонансы в пропускании слабой встречной волны на всех четырех линиях и измерено положение резонансов относительно центральных частот генерации CO₂-лазера. Изучены параметры контрастных резонансов вблизи центров линий P (30) и P (36), пригодных для стабилизации частоты излучения CO₂-лазера. Измеренные значения констант уширения составили 4,1 ± 1,5 и 2,6 ± 2 МГц/мм рт. ст. для линий P (30) и P (36) соответственно. Минимальная ширина наблюдаемого резонанса составляла 0,9 МГц при давлении 5,5 · 10^–2 мм рт. ст. На основании проведенных исследований сделан вывод о перспективности использования SiF₄ для получения высоких значений стабильности и воспроизводимости частоты излучения CO₂-лазера.