Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 2, страницы 401–407 (Mi qe6701)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Особенности вынужденного комбинационного рассеяния при наличии пространственного вырождения уровней

Ю. А. Ильинский, В. Д. Таранухин
Аннотация: Рассмотрены особенности вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР) в газах при учете пространственного вырождения уровней. Учтены эффекты насыщения разности населенностей и влияние излучения на антистоксовой частоте. Проанализированы случаи различных поляризаций полей накачки, стоксова и антистоксова излучения. Показано, что форма линии ВКР представляет собой сумму в общем случае трех лоренцевых линий, а рассеяние содержит скалярную, симметричную и антисимметричную компоненты. Использование накачки с круговой поляризацией снимает вопрос о влиянии антистоксова излучения на коэффициент усиления стоксовой волны.
Поступила в редакцию: 12.10.1973
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, Volume 4, Issue 2, Pages 224–227
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1974v004n02ABEH006701
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 51.70.+f, 42.65.Dr


Образец цитирования: Ю. А. Ильинский, В. Д. Таранухин, “Особенности вынужденного комбинационного рассеяния при наличии пространственного вырождения уровней”, Квантовая электроника, 1:2 (1974), 401–407 [Sov J Quantum Electron, 4:2 (1974), 224–227]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6701
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i2/p401
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:113
    PDF полного текста:67
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024