Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 6, страницы 760–762 (Mi qe6683)  

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Структура и свойства алюминиево-кремниевых сплавов при локальном упрочнении концентрированными источниками энергии

С. В. Воронин, Д. М. Гуреев, А. В. Золотаревский

Филиал Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР, Куйбышев
Аннотация: Исследованы особенности формирования структуры сплавов Al – Si c содержанием Si 10,12 и 20%, а также промышленного сплава В124 при поверхностном оплавлении с помощью лазерно-дугового и лазерного источников. Установлено, что при локальном оплавлении происходит изменение морфологии выделений кремния, пересыщение α-твердого раствора и смещение эвтектической точки в область больших концентраций кремния. Показано, что упрочненный слой сохраняет высокую твердость в процессе выдержки при температурах до 250 °С. На примере промышленного сплава В124 показано, что с помощью лазерно-дугового или лазерного источника возможно получение на поверхности легированного слоя с контролируемым содержанием кремния.
Поступила в редакцию: 26.12.1989
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, Volume 20, Issue 6, Pages 682–684
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1990v020n06ABEH006683
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.78:669.725:621.373.826
PACS: 61.80.Ba, 81.65.Lp


Образец цитирования: С. В. Воронин, Д. М. Гуреев, А. В. Золотаревский, “Структура и свойства алюминиево-кремниевых сплавов при локальном упрочнении концентрированными источниками энергии”, Квантовая электроника, 17:6 (1990), 760–762 [Sov J Quantum Electron, 20:6 (1990), 682–684]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6683
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i6/p760
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:107
    PDF полного текста:56
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024