Экспериментальное обнаружение неаддитивности различных каналов образования инверсной населенности на переходе 4I11/2 → 4I13/2 иона Ег3+ в кристалле ИСГГ:Cr3+, Er3+

Экспериментально исследованы зависимости пороговой энергии накачки кристалла ИСГГ: Сг³⁺, Er³⁺, Ег³⁺ от длины волны фильтрации излучения накачки и от концентрации ионов эрбия. Обнаружена предсказанная ранее неаддитивность вкладов двух каналов возбуждения ионов эрбия (за счет переноса энергии Cr→Er и за счет кроссрелаксационной разгрузки состояния ⁴S_3/2 Er³⁺) в образование инверсной населенности на переходе ⁴I_11/2 → ⁴I_13/2 Er³⁺ в кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Er³⁺.