Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 6, страницы 712–716 (Mi qe6665)  

Активные среды

О роли ступенчатых ударов второго рода в лазере на ионных переходах ртути

Д. А. Корогодин, Е. Л. Латуш, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев

Ростовский государственный университет, Ростов-на-Дону
Аннотация: Проведен сопоставительный анализ временных характеристик излучения на видимых переходах Hgll и результатов математического моделирования активной среды ионного Не – Hg-лазера, установлено хорошее согласие экспериментальных и расчетных данных. На основе анализа показано, что при условиях разряда, типичных для генерации, вклад ступенчатой реакции Пеннинга при соударениях метастабильных атомов ртути и гелия в накачку лазерных уровней Hgll в послесвечении пренебрежимо мал по сравнению с вкладом ударно-излучательной рекомбинации для λ = 567,7 нм и перезарядки для λ = 615 нм. Вклад в рекомбинационную накачку ионов Hg++, образуемых при тепловых столкновениях однократных ионов ртути и метастабилей гелия, составляет ~5%.
Поступила в редакцию: 25.04.1989
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, Volume 20, Issue 6, Pages 634–638
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1990v020n06ABEH006665
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 32.80.Bx, 52.80.Hc


Образец цитирования: Д. А. Корогодин, Е. Л. Латуш, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев, “О роли ступенчатых ударов второго рода в лазере на ионных переходах ртути”, Квантовая электроника, 17:6 (1990), 712–716 [Sov J Quantum Electron, 20:6 (1990), 634–638]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6665
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i6/p712
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:113
    PDF полного текста:68
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024