О роли ступенчатых ударов второго рода в лазере на ионных переходах ртути

Проведен сопоставительный анализ временных характеристик излучения на видимых переходах Hgll и результатов математического моделирования активной среды ионного Не – Hg-лазера, установлено хорошее согласие экспериментальных и расчетных данных. На основе анализа показано, что при условиях разряда, типичных для генерации, вклад ступенчатой реакции Пеннинга при соударениях метастабильных атомов ртути и гелия в накачку лазерных уровней Hgll в послесвечении пренебрежимо мал по сравнению с вкладом ударно-излучательной рекомбинации для λ = 567,7 нм и перезарядки для λ = 615 нм. Вклад в рекомбинационную накачку ионов Hg⁺⁺, образуемых при тепловых столкновениях однократных ионов ртути и метастабилей гелия, составляет ~5%.