|
Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 211–215
(Mi qe6647)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Краткие сообщения
Расчет источника накачки оптического квантового генератора с селективным отражением
И. И. Литвинов, В. В. Подувальцев
Аннотация:
Показано, что нанесенные на лампу селективно отражающие покрытия приводят к эффективному поглощению побочного излучения в плазме с последующим переизлучением, в том числе и в полосах пропускания фильтра, что ведет к росту к. п. д. Найдено, что для разряда в ксеноне при коэффициенте отражения вне полос поглощения алюмо-иттриевого граната с неодимом, составляющем ~0,9, к. п. д. источника накачки в оптимальных условиях возрастает в 2–3 раза, а при использовании рубина – в 1,5–2 раза. Лучшие результаты достигаются для достаточно оптически плотного импульсного разряда, для которого применение селективных наполнений становится неэффективным.
Поступила в редакцию: 25.07.1973
Образец цитирования:
И. И. Литвинов, В. В. Подувальцев, “Расчет источника накачки оптического квантового генератора с селективным отражением”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 211–215 [Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 131–133]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6647 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i1/p211
|
|