Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 178–180 (Mi qe6632)  

Краткие сообщения

Параметры лазеров на AlxGa1–xAs с электронной накачкой в видимой области спектра

Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов
Аннотация: Сообщается о получении стимулированного излучения на твердом растворе AlxGa1–xAs при возбуждении электронным лучом с энергией 50 кэВ, длительностью 100 нс и частотой 50 Гц. Приводятся данные о пороговой плотности тока, мощности и к. п. д. лазеров для 0 < x ≤ 0,3 при 81 K.
Поступила в редакцию: 19.09.1972
Исправленный вариант: 07.05.1973
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, Volume 4, Issue 1, Pages 104–105
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1974v004n01ABEH006632
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.333
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 78.55.Cr, 78.66.Fd, 78.45.+h


Образец цитирования: Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов, “Параметры лазеров на AlxGa1–xAs с электронной накачкой в видимой области спектра”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 178–180 [Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 104–105]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6632
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i1/p178
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024