Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 4, страницы 326–330 (Mi qe660)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Активные среды

Новые динамические режимы фотонного разветвления в химических HF-лазерах на двухфазной активной среде

В. И. Игошин, С. Ю. Пичугин

Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН
Аннотация: На основе многоуровневой модели теоретически проанализирован импульсный химический H2 — F2 -лазер в условиях, когда в активной среде могут присутствовать мелкодисперсные частицы. Численно исследованы новые динамические режимы фотонного разветвления, обусловленного испарением частиц алюминия под действием лазерного излучения. Выявлены условия, при которых в двухфазной среде HF-генератора, инициируемого УФ излучением, возникает фотонное разветвление с увеличением энергии генерации вдвое. Обнаружено, что в среде H2 — F2-усилителя с мелкодисперсными частицами возможно осуществление фотонно- разветвленной реакции в автоволновом режиме распространения в пространстве, позволяющем добиться существенно более высоких коэффициентов усиления по энергии по сравнению с ранее исследованным динамическим режимом «на просвет» всего объема.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996, Volume 26, Issue 4, Pages 318–322
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1996v026n04ABEH000660
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Ks, 42.60.Lh, 82.50.Fv


Образец цитирования: В. И. Игошин, С. Ю. Пичугин, “Новые динамические режимы фотонного разветвления в химических HF-лазерах на двухфазной активной среде”, Квантовая электроника, 23:4 (1996), 326–330 [Quantum Electron., 26:4 (1996), 318–322]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe660
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i4/p326
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024