Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 6, страницы 559–562 (Mi qe6595)  

Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)

Световоды. Интегрально-оптические волноводы

Усилительные свойства активных световодов с высокой концентрацией ионов эрбия

А. Ю. Плоцкийa, А. С. Курковa, М. Ю. Яшковa, М. М. Бубновa, М. Е. Лихачевa, А. А. Сысолятинa, А. Н. Гурьяновb, Е. М. Диановa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Для световодов с сердцевиной на основе алюмосиликатного стекла, легированного ионами эрбия с концентрациями в диапазоне 3 × 1018–1020 см-3, измерена относительная концентрация ионов эрбия, безызлучательно релаксирующих на основной уровень из-за взаимодействия на метастабильном уровне. Определена зависимость доли таких ионов от концентрации Er3+ для световодов с различным содержанием оксида алюминия в сердцевине. Показано, что увеличение концентрации Al2O3 существенно снижает долю ионов эрбия, не участвующих в процессе усиления. Установлено, что кластеризация приводит к существенному падению коэффициента усиления активных световодов с высокой концентрацией Er3+. На основании проведенных измерений построена зависимость квантовой эффективности волоконного усилителя от концентрации ионов эрбия. Данная зависимость может быть использована для оптимизации параметров эрбиевых волоконных усилителей.
Поступила в редакцию: 25.03.2005
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2005, Volume 35, Issue 6, Pages 559–562
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2005v035n06ABEH006595
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 41.81.Cn, 41.81.Wg


Образец цитирования: А. Ю. Плоцкий, А. С. Курков, М. Ю. Яшков, М. М. Бубнов, М. Е. Лихачев, А. А. Сысолятин, А. Н. Гурьянов, Е. М. Дианов, “Усилительные свойства активных световодов с высокой концентрацией ионов эрбия”, Квантовая электроника, 35:6 (2005), 559–562 [Quantum Electron., 35:6 (2005), 559–562]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6595
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v35/i6/p559
  • Эта публикация цитируется в следующих 22 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:392
    PDF полного текста:228
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024