Влияние контактных слоев на тепловые свойства лазерной структуры PbSe/PbSnSeTe

Показано, что оптимизация теплового режима (для минимизации перегерева активной области) достигается уменьшением толщин ограничивающего и контактного слоев, а также ширины активной области полупроводниковых лазеров с двойной гетероструктурой PbSe/PbSnSeTe. При плотности тока накачки 3 кА/см² (T = 77 K) перегрев активной области ΔT составлял 17 и 26 К соответственно для структур с толщинами ограничивающих слоев 2 и 4 мкм.