Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 2, страницы 306–316 (Mi qe6566)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Численное моделирование динамики сброса инверсии и усиления наносекундных импульсов в неодимовом стекле

В. В. Иванов, Ю. В. Сенатский, Г. В. Склизков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Проведено численное моделирование динамики сброса инверсии и усиления наносекундных импульсов в лазере на неодимовом стекле с учетом неоднородного уширения линии люминесценции стекла, штарковского расщепления уровней рабочего перехода 4F3/24I11/2 и безызлучательной релаксации ионов Nd3+ по штарковским компонентам. Сопоставляются расчетные и экспериментальные зависимости энергии насыщения, коэффициента усиления, эффективного сечения индуцированного перехода от энергии, длительности и частоты усиливаемых сигналов. Рассматриваются особенности сброса инверсии и усиления излучения с узким и широким спектрами. Обсуждаются вопросы оптимизации спектра излучения для повышения съема инверсии в неодимовых стеклах.
Поступила в редакцию: 23.12.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 2, Pages 184–191
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n02ABEH006566
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.3
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 42.65.Re, 42.50.Gy, 42.50.Hz


Образец цитирования: В. В. Иванов, Ю. В. Сенатский, Г. В. Склизков, “Численное моделирование динамики сброса инверсии и усиления наносекундных импульсов в неодимовом стекле”, Квантовая электроника, 14:2 (1987), 306–316 [Sov J Quantum Electron, 17:2 (1987), 184–191]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6566
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i2/p306
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024