Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 4, страницы 837–839 (Mi qe6543)  

Краткие сообщения

Устойчивость сжатия оболочечных мишеней на установке «Прогресс»

Н. М. Барышева, А. А. Горохов, А. Л. Запысов, И. М. Израилев, В. Б. Крюченков, В. А. Лыков, В. А. Подгорнов, В. Г. Покровский, В. А. Пронин, А. В. Чарухчев
Аннотация: В экспериментах на 6-пучковой лазерной установке «Прогресс» исследовались сжатие и нагрев стеклянных микросфер с DT-газом, покрытых снаружи тонким (~0,1 мкм) слоем алюминия. Плотность потока излучения Nd-лазера (λ = 1,054 мкм) на поверхности мишени составила (1–2)·1015 Вт/см2, удельный энерговклад – 0,1–0,25 Дж/нг. Зарегистрированы двумерные изображения лазерной плазмы в рентгеновских линиях многозарядных ионов Si и Al. Интенсивное излучение линий Al на расстояниях, близких к центру мишени, свидетельствует о существенно неустойчивом характере сжатия лазерной плазмы. Это подтверждается также слабой зависимостью нейтронного выхода от удельного энерговклада, не согласующейся с результатами одномерных расчетов по программе «Заря».
Поступила в редакцию: 03.06.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 4, Pages 543–546
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n04ABEH006543
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:533.9
PACS: 61.80.Ba, 79.20.Ds, 52.50.Jm


Образец цитирования: Н. М. Барышева, А. А. Горохов, А. Л. Запысов, И. М. Израилев, В. Б. Крюченков, В. А. Лыков, В. А. Подгорнов, В. Г. Покровский, В. А. Пронин, А. В. Чарухчев, “Устойчивость сжатия оболочечных мишеней на установке «Прогресс»”, Квантовая электроника, 13:4 (1986), 837–839 [Sov J Quantum Electron, 16:4 (1986), 543–546]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6543
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i4/p837
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:105
    PDF полного текста:51
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024