|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 4, страницы 833–836
(Mi qe6542)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Стационарное параметрическое усиление расплывающихся световых импульсов в условиях групповой расстройки
В. Василяускас, Ф. Иванаускас, А. Стабинис Вильнюсский государственный университет им. В. Капсукаса
Аннотация:
Теоретически исследовано параметрическое усиление световых импульсов в нелинейных кристаллах в условиях групповой расстройки и дисперсионного расплывания. Показано, что дисперсионное расплывание сильно влияет на усиление. По мере увеличения роли дисперсионного расплывания насыщение усиления, вызванное групповой расстройкой, постепенно исчезает и возникает стационарный режим усиления, в условиях которого форма огибающей, длительность, положение вершины сигнального импульса не зависят от длины кристалла, а интенсивность растет экспоненциально с расстоянием.
Поступила в редакцию: 03.05.1985
Образец цитирования:
В. Василяускас, Ф. Иванаускас, А. Стабинис, “Стационарное параметрическое усиление расплывающихся световых импульсов в условиях групповой расстройки”, Квантовая электроника, 13:4 (1986), 833–836 [Sov J Quantum Electron, 16:4 (1986), 541–543]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6542 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i4/p833
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 130 | PDF полного текста: | 62 | Первая страница: | 1 |
|