Влияние динамических деформаций на параметры импульсных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком

Для объяснения имеющихся экспериментальных результатов активный элемент импульсного полупроводникового лазера с электронно-лучевой накачкой представлялся в виде акустической ячейки. Представлены результаты измерений расходимости излучения лазера на CdS при накачке импульсами электронов с энергией 250 кэВ и длительностью 1и 10 нс, ватт-амперные характеристики излучения кристаллов, накачиваемых через щелевидную диафрагму, ориентированную вдоль или поперек кристаллографической оси, а также результаты измерений размеров зон разрушений лазеров с поперечной накачкой при различных энергиях импульсов накачки. Полученные данные объясняются возникновением упругих деформаций кристалла в течение и после окончания импульса накачки.